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【2h】

Resistive Switching of Carbon-Based RRAM with CNT Electrodes for Ultra-Dense Memory

机译：碳基RRAM与CNT电极的电阻切换，用于超致密存储器

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Yang Chai; Yi Wu; Kuniharu Takei; Hong-yu Chen; Shimeng Yu; Philip C. H. Chan; Ali Javey; H. -s. Philip Wong;
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年度 2014
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